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Product laser

產(chǎn)品中心
晶圓激光隱切設備
產(chǎn)品簡介
該設備可通過精密控制及激光內(nèi)部改質(zhì)技術,使得晶圓切割后裂片擴膜成單顆小芯片,以便實現(xiàn)后續(xù)的晶圓封測。
產(chǎn)品特點

兼容性好,可同時切割4~12寸及不同厚度的晶圓

支持藍寶石、硅、碳化硅、鉭酸鋰等襯底材質(zhì)

良好的定位精度及重復定位精度

切割質(zhì)量高,直線度好,無崩邊、裂痕

切割區(qū)域影響小,切割道≤20μm

應用領域
半導體芯片封裝
技術指標
設備型號 DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
設備尺寸 1,750mm(W) x 2,250mm(D) x 2,250mm(H)
適用晶圓尺寸 6寸及以下 8寸、12
適用晶圓厚度 60μm to 400μm
平臺精度 重復定位精度≤ ±1μm;定位精度<±3μm;
直線度  5 μm
切割路徑寬度  20 μm
TTV  10 μm  15 μm
應用案例